丝印：026N12N6；Package：PG-HSOF-8；OptiMOS™ 6 Power ‑Transistor, 120 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching • Pb‑free lead platin

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INFINEON

英飞凌

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V，采用 TOLL 封装

这是采用 TO-Leadless 封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 2.6 mOhm。与 OptiMOS ™ 3 相比，该技术的特点是：RDS(on) 提高高达 58%，FOMg 提高高达 66%，Qrr 提高高达 90%，FOMoss 提高高达 35%。IPT026N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。 • 极低的反向恢复电荷\n• 优异的栅极电荷 x RDS(on)\n• 高雪崩能量等级\n• 额定结温 175°C\n• 无铅电镀\n• 符合 RoHS 标准且无卤素;

Infineon

英飞凌

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Optimized for high frequency switching and Top side cooling • Pb-free

文件：1.46154 Mbytes 页数：11 Pages

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英飞凌

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

上传：天津市博通航睿技术有限公司

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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