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IPP04CN10NG	文件：501.72 Kbytes Page：11 Pages	丝印：04CN10N；Package：PG-TO220-3；OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：501.72 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP04CN10NG	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS™2 Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
04CN10N	文件：501.72 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：501.72 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IIPP04CN10N	文件：338.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB04CN10N	文件：501.72 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：501.72 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
IPP04CN10NG
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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