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IPP04N03LA	文件：372.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =3.9mΩ(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP04N03LA	文件：348.17 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor 文件：348.17 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IPP04N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH25V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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