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IPP05N03LBG	文件：339.13 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件：339.13 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPS05N03LA	文件：434.51 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature 文件：434.51 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS05N03LA	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS05N03LAG	文件：404.37 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS comp 文件：404.37 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPP05N03LBG
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
SP000065247_MOS-FET_TUBES_RO

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