首页>IPP04CN10NG>规格书详情

IPP04CN10NG中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

IPP04CN10NG
厂商型号

IPP04CN10NG

功能描述

OptiMOS?? Power-Transistor

丝印标识

04CN10N

封装外壳

PG-TO220-3

文件大小

501.72 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-22 8:02:00

人工找货

IPP04CN10NG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IPP04CN10NG规格书详情

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

产品属性

  • 型号:

    IPP04CN10NG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
PG-TO220-3
6000
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
92439
询价
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
3425
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
INFINEON
23+
TO-220-3
25000
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品
询价
INF
1434+
TO-220
12
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
20000
原装现货,实单支持
询价
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO220-3
25630
原装正品
询价
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO220-3
6820
只做原装,质量保证
询价