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IPS04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPS04N03LA	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPS04N03LBG	文件：417.75 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LA	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LA	文件：348.74 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LAG	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LBG	文件：417.75 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PJ04N03D	文件：254.91 Kbytes Page：5 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=4mΩ •RDS(ON),VGS@5.0V,IDS@24A=6mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Incompliance	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
IPP04N03LBGXK
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	IPP04N03LBGXK	INFINEON	23+		8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IPP04N03LBGXK	INFINEON	23+		7000		询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IPP04N03LB其他被动元件	INFINEON/英飞凌	22+	TO-220	22349		询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	IPP04N03LB其他被动元件	INFINEON/英飞凌	24+	TO-220	39197	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPP04N06L3	INFINEON	TO-220	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多IPP04N03LBGXK供应商更新时间2025-7-29 17:10:00

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