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IPP054NE8N	文件：372.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多IPP054NE8NGXK供应商更新时间2024-5-23 15:00:00