首页 >IPP029N06>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IPP029N06N

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPP029N06N

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP029N06N

New OptiMOS??40V and 60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

FDB029N06

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,193A,3.1mW

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=2.4mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=75A •FastSwitc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IIPP029N06N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPA029N06N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPA029N06N

Superiorthermalresistance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPI029N06N

OptiMOSTMPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPI029N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IPP029N06

  • 功能描述:

    MOSFET 60V TO-220

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
42000
郑重承诺只做原装进口现货
询价
INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
询价
Infineon Technologies
24+
标准
45338
热卖原装进口
询价
INFINEON/英飞凌
2404+
TO-220
3300
现货正品原装,假一赔十
询价
INFINEO
16+
TO-220
6012
全新原装/深圳现货库2
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
TO-220
17000
原装进口假一罚十
询价
INFINEON/英飞凌
21+
TO-220
36800
进口原装现货 假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
20+
TO-220
4000
进口原装假一赔十支持含税
询价
INFINEON
20+
TO-220
5000
全新原装公司现货
询价
INFINEON/英飞凌
2024+实力库存
TO220
3200
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
更多IPP029N06供应商 更新时间2024-6-23 8:08:00