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IPP100N10S3-05	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V、N沟道、5.1 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™ -T • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• highest current capability 180A\n • low switching and conduction power losses for high thermal ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP100N10S3-05	文件：192.34 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：192.34 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
5.1mΩ
RDS (on) max：
5.1mΩ
QG(typical) ：
135.0nC
VDS max：
100.0V
ID max：
100.0A
RthJC max：
0.5K/W
Ptot max：
300.0W
IDpuls max：
400.0A
VGS(th) min max：
2.0V 4.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPP100N10S3-05	INFINEON/英飞凌	17+	PG-TO220-3	31518	原装正品可含税交易	询价
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更多IPP100N10S3-05供应商更新时间2025-12-14 14:00:00

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