StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 40 V，采用 TO-220 封装

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 40 V 具有 1.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。 • 可从分销合作伙伴处获取\n• 卓越的性价比\n• 适用于高和低开关频率\n• 行业标准尺寸封装\n• 高额定电流\n• 可进行波峰焊;

Infineon

英飞凌

丝印：015N04NS；Package：PG-TO220-3；MOSFET StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features • Optimized for wide range of applications • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：992.27 Kbytes 页数：11 Pages

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：TRENCH PG-TO220-3

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TO-220

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上传：深圳市赛特兴科技有限公司

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