IPP015N04NF2S中文资料StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 40 V，采用 TO-220 封装数据手册Infineon规格书

描述 Description

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 40 V 具有 1.5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

特性 Features

• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊

简介

IPP015N04NF2S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPP015N04NF2S晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。