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IPI80N04S4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n\n优势:\n \n • 40V 时， RDS (on)为世界极低值\n• 极高的冲击电流能力\n• 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率\n• 稳固的封装，出色的品质，高可靠性\n• 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级\n \n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI80N04S4L-04	文件：165.33 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：165.33 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

RDS (on)(@10V) max：
4.3mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
6.0mΩ
QG(typical) ：
46.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
80.0A
RthJC max：
2.1K/W
Ptot max：
71.0W
IDpuls max：
320.0A
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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