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IPI80N04S4L-04中文资料20V-650V汽车级MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPI80N04S4L-04

功能描述

20V-650V汽车级MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-11 17:25:00

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IPI80N04S4L-04规格书详情

特性 Features

• N 通道 - 增强模式
• AEC 认证
• MSL1 峰值回流温度高达 260°C
• 175°C 的工作温度
• 环保产品(符合 RoHS)
• 100% 经过雪崩测试


优势:
 

• 40V 时, RDS (on)为世界极低值
• 极高的冲击电流能力
• 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
• 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
• 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级
 
 

应用 Application

• OptiMOS-T2 40V 适用于各种 EPS 电机控制、三相和 H 桥电机、HVAC 风扇控制、电动泵等,特别适合与 PWM 控制结合使用。

• OptiMOS-T2 40V 产品基于英飞凌先进沟槽栅技术,将成为下一代高能效、低 CO2 排放、电驱动汽车应用的标杆。
仿真/ SPICE-型号

技术参数

  • 制造商编号

    :IPI80N04S4L-04

  • 生产厂家

    :Infineon

  • RDS (on)(@10V) max

    :4.3mΩ

  • RDS (on)(@4.5V LL) max

    :6.0mΩ

  • QG(typical) 

    :46.0nC 

  • VDS max

    :40.0V

  • ID  max

    :80.0A

  • RthJC max

    :2.1K/W

  • Ptot max

    :71.0W

  • IDpuls max

    :320.0A

  • VGS(th) min max

    :1.2V 2.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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