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IPB80N04S4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N沟道、最大4 mΩ、汽车MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2 • N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n优势:\n• 40V 时， RDS (on)为世界极低值\n• 极高的冲击电流能力\n• 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率\n• 稳固的封装，出色的品质，高可靠性\n• 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级\n \n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S4L-04	文件：165.33 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：165.33 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
IPB80N04S4L04ATMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
4 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
46 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™-T2

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