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SSH70N10A	文件：262.38 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.018Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP70N10A	文件：641.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP70N10A	文件：280.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP70N10A	文件：923.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSS70N10	文件：271.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSS70N10	文件：652 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea 175ocOperatingTemperature LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=100V LowerRDS(ON):0.018Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SW70N10V	文件：1.0007 Mbytes Page：7 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-251/TO-252/TO-220MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TSM70N10	文件：383.45 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM70N10CP	文件：1.64757 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
16.0mΩ
RDS (on) max：
16.0mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
25.0mΩ
QG(typical) ：
160.0nC
VDS max：
100.0V
ID max：
70.0A
RthJC max：
0.6K/W
Ptot max：
250.0W
IDpuls max：
280.0A
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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