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IPI034NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

Infineon

英飞凌

IPI034NE7N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification

文件:466.4 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP034NE7N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.19 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPP034NE7N3G

N-channel, normal level

文件:835.38 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP034NE7N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification

文件:466.4 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    75V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    3.4 毫欧 @ 100A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    3.8V @ 155µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    117nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    8130pF @ 37.5V

  • 功率耗散(最大值):

    214W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    PG-TO262-3

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPI034NE7N3供应商 更新时间2025-10-30 15:58:00