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IPI023NE7N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI023NE7N3G	文件：466.24 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) 文件：466.24 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPL60R075CFD7	文件：0 bytes Page：0 Pages	VSON-4	INFINEON/英飞凌上传：深圳市恒佳微电子有限公司	INFINEON/英飞凌

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
120A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
14400pF @ 37.5V
功率耗散（最大值）：
300W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
PG-TO262-3
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

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更多IPI023NE7N供应商更新时间2025-10-30 15:58:00

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