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详细参数

  • 型号:

    IPD80N04S3-06B

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 40V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
20+
TO-252
16300
终端可免费提供样品,欢迎咨询
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INFINEON
24+/25+
2500
原装正品现货库存价优
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115000
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INFINEON/英飞凌
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标准封装
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INFINEON/英飞凌
2023+
TO-252
2500
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INFINEON
22+
TO-252
8000
终端可免费供样,支持BOM配单
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
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更多IPD80N04S3-06B供应商 更新时间2026-1-26 13:01:00