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IPD90N04S4L-04	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N沟道、3.8 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • N 通道 - 增强模式\n• 通过汽车 AEC 101 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保封装（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n优势:\n \n • 低开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率\n• 稳固的封装，出色的品质，高可靠性\n• 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD90N04S4L-04	文件：159.63 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor 文件：159.63 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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