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IPD80P03P4L-07	文件：170.82 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD80P03P4L-07	文件：352.96 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD80P03P4L-07-TP	文件：2.76336 Mbytes Page：5 Pages	Marking：80P03P；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features\| ©Veo=30V804\| ®Ros=8mO@Ves=10V ©ROSOVS1IMO@Vos=45V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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详细参数

型号：
IPD80P03P4L-07
功能描述：
MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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