首页 >IPD50N06S4L-12>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

IPD50N06S4L-12

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IPD50N06S4L-12

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon/英飞凌
20+
TO-252
16300
终端可免费提供样品,欢迎咨询
询价
INFINEON
1501+
SMD
20
公司有现货的
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17640
原装进口假一罚十
询价
INTERSI
21+
TO252
10000
全新原装公司现货
询价
INFINEON
21+
TO-252
5000
十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
10000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
INTERSI
22+
TO252
10000
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!
询价
Infineon(英飞凌)
23+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
INFINEON
2022+
TO252
8000
询价
原装INFINEON
23+
TO-252
2500
正规渠道,只有原装!
询价
更多IPD50N06S4L-12供应商 更新时间2025-5-11 13:00:00