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IPD50N06S4L-12中文资料60 V、N 沟道、最大 12 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD50N06S4L-12

功能描述

60 V、N 沟道、最大 12 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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IPD50N06S4L-12规格书详情

特性 Features

• N沟道 - 增强模式

• 符合汽车 AEC Q101 标准

• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值

• 工作温度为 175°C

• 绿色产品(符合 RoHS 标准)

• 100% Avalanche 测试

• 支持 PPAP

应用 Application

• 汽车二次配电单元

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD50N06S4L-12

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :200 A

  • Ptotmax

    :50 W

  • QG(typ @10V)

    :30 nC

  • QG(typ @10V) max

    :40 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :12 mΩ

  • RthJCmax

    :3 K/W

  • VDSmax

    :60 V

  • VGS(th)

    :1.7 V

  • Package

    :DPAK (PG-TO252-3)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™-T2

  • Launch year

    :2009

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2030

  • Qualification

    :Automotive

  • Budgetary Price €/1k

    :0.29

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