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IPD50N04S3-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 沟道、最大 7.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T • N沟道 - 增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50N04S3-08	文件：190.02 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T Power-Transistor 文件：190.02 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD50N04S3-08供应商更新时间2025-10-9 13:01:00