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IPD50N04S4L-08

OptiMOS-T2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IPD50N04S4L-08

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 40V MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon/英飞凌
20+
SOT252
16300
终端可免费提供样品,欢迎咨询
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Infineon
新年份
N/A
9000
原装现货质量保证,可出样品可开税票
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INFINEON
21+
TO252
26000
实单请给接受价
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INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17643
原装进口假一罚十
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INFINEON/英飞凌
24+
TO-252-3
63200
原装现货/15年行业经验欢迎询价
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INFINEON/英飞凌现货
2021+
TO-252
134000
原装正品现货,诚信经营。假一罚十
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INFINEON
18+
TO252
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全新原装公司现货
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INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
2500
只做原厂渠道 可追溯货源
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INFINEON
21+
TO-252
37500
新到现货 全新原装
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更多IPD50N04S4L-08供应商 更新时间2025-5-10 13:00:00