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IPD50N06S2L-13	文件：154.33 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：154.33 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50N06S2L-13	文件：300 bytes Page：1 Pages	55V、N 沟道、最大 12.7mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ N-channel Logic Level - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green package (lead free) • Ultra low Rds(on) • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest current capabil;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50N06S2L-13-TP	文件：2.13956 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features ® Vos =60V,lo =50A Rosin 文件：2.13956 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SPD50N06S2L-13	文件：264.73 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：264.73 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD50N06S2L-13供应商更新时间2025-12-1 8:01:00