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IPD30N08S2-22	文件：300 bytes Page：1 Pages	75 V、N 沟道、最大 21.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N沟道逻辑电平增强模式\n • 符合汽车 AEC Q101 标准\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色封装（无铅）\n • 超低 RDS(on)\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N08S2-22	文件：157.39 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：157.39 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N08S2-22	文件：265.17 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：265.17 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPD30N08S2-22供应商更新时间2025-10-5 13:01:00