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IPD30N08S2-22中文资料75 V、N 沟道、最大 21.5 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™数据手册Infineon规格书
IPD30N08S2-22规格书详情
特性 Features
• N沟道逻辑电平增强模式
• 符合汽车 AEC Q101 标准
• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
• 工作温度为 175°C
• 绿色封装（无铅）
• 超低 RDS(on)
• 100% Avalanche 测试
• 支持 PPAP 的设备
技术参数
- 制造商编号
：IPD30N08S2-22
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：120 A
- Ptotmax
：125 W
- QG(typ @10V)
：44 nC
- QG(typ @10V) max
：57 nC
- RDS (on)(@10V) max
：21.5 mΩ
- RthJCmax
：1.1 K/W
- VDSmax
：75 V
- VGS(th)
：3.1 V
- Package
：DPAK (PG-TO252-3)
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：OptiMOS™
- Launch year
：2007
- Polarity
：N
- Currently planned availability until at least
：2030
- Qualification
：Automotive
- Budgetary Price €/1k
：0.58
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
5250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
PG-TO252-3 |
20300 |
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TO-252 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-252 |
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Infineon |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-252 |
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INFINEON |
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