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IPD30N06S3-24中文资料OptiMOS-T Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD30N06S3-24

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 9:35:00

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技术参数

  • 型号:

    IPD30N06S3-24

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 30A 24mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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INFINEON/英飞凌
24+
NA/
2500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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infineon/英飞凌
24+
TO-252
834500
原厂原装
询价
INFINEON
24+
TO-252
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
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INFINEON/英飞凌
20+
SOT-252
16300
终端可免费提供样品,欢迎咨询
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INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
2500
全新原装正品支持含税
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-252
2500
原装
询价
INF
23+
SOT252
6000
原装正品,支持实单
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ADI
23+
TO-252
7000
询价