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IPD180N10N3 G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IPD180N10N3 G规格书详情
描述 Description
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。
特性 Features
• 优异的开关性能
• 世界较低的 (R Ds(on))
• 极低的 Qg 和 Qgd
• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
• 符合 RoHS 标准 - 无卤素
• MSL1 评级 2
优势:
• 环保
• 提高效率
• 极高的功率密度
• 减少并联
• 极低的板空间消耗
• 产品易于设计
应用 Application
• AC-DC SMPS的同步整流
• 48V-80V 系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)
• 隔离式 DC-DC 转换器(电讯和数据通信系统)
• 48V系统的开关和断路器
• D 类音频放大器
• 不间断电源 (UPS)
技术参数
- 制造商编号
:IPD180N10N3 G
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:DPAK (TO-252)
- VDS max
:100.0V
- RDS (on) max
:18.0mΩ
- Polarity
:N
- ID max
:43.0A
- Ptot max
:71.0W
- IDpuls max
:172.0A
- VGS(th) min max
:2.0V 3.5V
- QG
:19.0nC
- Rth
:2.1K/W
- Ciss
:1350.0pF
- Coss
:237.0pF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
15+ |
TO-252 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINOEN |
24+ |
TO-252-3 |
90000 |
一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO252-3 |
9600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
INFEINEON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
VB |
21+ |
PG-TO252-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |