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IPD180N10N3 G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD180N10N3 G

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 10:55:00

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IPD180N10N3 G规格书详情

描述 Description

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。

特性 Features

• 优异的开关性能
• 世界较低的 (R Ds(on))
• 极低的 Qg 和 Qgd
• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
• 符合 RoHS 标准 - 无卤素
• MSL1 评级 2

优势:
• 环保
• 提高效率
• 极高的功率密度
• 减少并联
• 极低的板空间消耗
• 产品易于设计

应用 Application

• AC-DC SMPS的同步整流
• 48V-80V 系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)
• 隔离式 DC-DC 转换器(电讯和数据通信系统)
• 48V系统的开关和断路器
• D 类音频放大器
• 不间断电源 (UPS)

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD180N10N3 G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :100.0V

  • RDS (on) max

    :18.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :43.0A

  • Ptot max

    :71.0W

  • IDpuls max

    :172.0A

  • VGS(th) min max

    :2.0V 3.5V

  • QG 

    :19.0nC 

  • Rth 

    :2.1K/W 

  • Ciss 

    :1350.0pF 

  • Coss 

    :237.0pF 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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