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IPD16CNE8N G数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号:
IPD16CNE8N G
- 功能描述:
MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
2500 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-252D-PAK |
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INFINEON |
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INFINEON |
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INFINEON |
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INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252D-PAK |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
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INFINEON |
24+ |
DPAK(TO-252) |
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