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IPD16CNE8N G中文资料OptiMOS®2 Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD16CNE8N G

功能描述

OptiMOS®2 Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 12:00:00

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技术参数

  • 型号:

    IPD16CNE8N G

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 53A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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NK/南科功率
2025+
TO-252
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