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IPD25N06S2-40	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 40 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest c;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD25N06S2-40	文件：154.56 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：154.56 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IPD30N03S4L-14	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	英飞凌上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	英飞凌

技术参数

OPN：
IPD25N06S240ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
40 mΩ
ID @25°C max：
29 A
QG typ @10V：
14 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™

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