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IRFD120	文件：935 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD120PBF	文件：1.80106 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4-pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultip	IRF International Rectifier	IRF
IRFD120PBF	文件：935 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE120	文件：237.14 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersthe	IRF International Rectifier	IRF
IRFE120	文件：295.69 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF120	文件：325.84 Kbytes Page：7 Pages	6.0A,100V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 6.0A,100V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF120	文件：131.97 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE	IRF International Rectifier	IRF
IRFF120	文件：165.85 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSField-EffectTransistors 5.0Aand6.0A,60V-100VrDS(0n)=0.30Ωand0.40Ω Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF120	文件：156.74 Kbytes Page：3 Pages	6.0A,100V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 6.0A,100V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFM120A	文件：269.29 Kbytes Page：7 Pages	IEEE802.3afCompatible IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IPD120D
制造商：
SAMTEC
功能描述：
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