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IRFM120A	文件：269.29 Kbytes Page：7 Pages	IEEE802.3af Compatible IEEE802.3af Compatible FEATURES ❐ Avalanche Rugged Technology ❐ Rugged Gate Oxide Technology ❐ Lower Input Capacitance ❐ Improved Gate Charge ❐ Extended Safe Operating Area ❐ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ❐ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω (Typ.) 文件：269.29 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFM120A	文件：274.78 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Rugged Technology IEEE802.3af Compatible FEATURES ❐ Avalanche Rugged Technology ❐ Rugged Gate Oxide Technology ❐ Lower Input Capacitance ❐ Improved Gate Charge ❐ Extended Safe Operating Area ❐ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ❐ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω (Typ.) 文件：274.78 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFM120A	文件：725.8 Kbytes Page：6 Pages	Avalanche Rugged Technology FEATURES ❐ Avalanche Rugged Technology ❐ Rugged Gate Oxide Technology ❐ Lower Input Capacitance ❐ Improved Gate Charge ❐ Extended Safe Operating Area ❐ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ❐ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω (Typ.) 文件：725.8 Kbytes 页数：6 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFM120A	文件：385.13 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：385.13 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFM120A	文件：930.12 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：930.12 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFM120ATF	文件：274.78 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Rugged Technology IEEE802.3af Compatible FEATURES ❐ Avalanche Rugged Technology ❐ Rugged Gate Oxide Technology ❐ Lower Input Capacitance ❐ Improved Gate Charge ❐ Extended Safe Operating Area ❐ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ❐ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω (Typ.) 文件：274.78 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFM120A	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N沟道A-FET / IRFM120的替代器件 N-Channel A-FET / Substitute of IRFM120 100V, 2.3A, 0.2Ω •雪崩耐用技术\n•耐用栅极氧化物技术\n•降低输入电容\n•增加的栅极电荷\n• Extended Safe Operating Area\n• Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100 V\n• Lower rDS(on) : 0.155 Ω (Typ.);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
2.3
PD Max (W)：
2.4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
200
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16
Ciss Typ (pF)：
370
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4

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更多IRFM120A供应商更新时间2026-1-25 16:53:00

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