IRFM120A中文资料100V N沟道A-FET / IRFM120的替代器件数据手册ONSEMI规格书
IRFM120A规格书详情
描述 Description
N-Channel A-FET / Substitute of IRFM120 100V, 2.3A, 0.2Ω
特性 Features
•雪崩耐用技术
•耐用栅极氧化物技术
•降低输入电容
•增加的栅极电荷
• Extended Safe Operating Area
• Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100 V
• Lower rDS(on) : 0.155 Ω (Typ.)
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：IRFM120A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.3
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16
- Ciss Typ (pF)
：370
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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