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IPD100N04S4-02	文件：334.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):4mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·Fa	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD100N04S4L-02	文件：237.34 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS®-T2 Power-Transistor Features •OptiMOSTM-powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel-Enhancementmode-LogicLevel •AECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •GreenProduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD105N03LG	文件：1.236 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD10N03LA	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD10N03LAG	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD100N04S4-02	文件：160.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD100N06S4-03	文件：168.75 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-T2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD105N04LG	文件：236.24 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IPD10
功能描述：
MOSFET N-Channel 40V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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