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IPC26N10NR	文件：300 bytes Page：1 Pages	适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品 OptiMOS™ 裸片集极低的导通电阻 (RDS (on)) 和快速的开关特性于一身，其出色的性能非常适合各种工业和消费类应用。从大电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器，英飞凌的产品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空间要求。 • 出色的开关性能\n• 非常低的 Q g 和 Q gd;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPC26N10NR	文件：901.38 Kbytes Page：5 Pages	N-channel enhancement mode 文件：901.38 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PHP26N10E	文件：71.48 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies 文件：71.48 Kbytes 页数：7 Pages	PHI PHI	PHI
EMB26N10	文件：211.41 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：211.41 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB26N10A	文件：231.01 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：231.01 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB26N10E	文件：220.34 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：220.34 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

RDS (on)：
3.2 mΩ
VBRDSSmax：
100 V
VDS：
100 V
VDSmax：
100 V
VGS(th)：
2 V to 4 V
Thickness：
250
Technology：
OptiMOS™ 2
Polarity：
N
Mode：
Enhancement
Die Size(-)：
4.36 mm² to 6 mm²
Die Size(Area)：
26.16 mm²
Die Size(Y)：
4.36 mm
Die Size(X)：
6 mm
Output Drivers：
1

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