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EMB26N10A

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:231.01 Kbytes 页数:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB26N10A

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMB26N10E

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:220.34 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB26N10F

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:211.41 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB26N10G

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 9A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:184.19 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    100

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    50

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    30

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    35

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    38

  • CissTyp.(pF):

    2725

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EMC
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TO252
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EMC/杰力
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更多EMB26N10A供应商 更新时间2025-10-5 15:09:00