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PHP26N10E	文件：71.48 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies 文件：71.48 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHP26N10E	文件：300 bytes Page：1 Pages	PowerMOS transistor	恩XP 恩智浦	恩XP
EMB26N10	文件：211.41 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：211.41 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB26N10A	文件：231.01 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：231.01 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB26N10E	文件：220.34 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：220.34 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

更多PHP26N10E供应商更新时间2025-10-4 8:01:00