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IPB80N08S2L-07	文件：373.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·FastSwitchingSpeed APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Highcurrentswitchingapplications ·DC-DCconverterandmotordriveapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB80N08S2-07	文件：161.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB80N08S2-07	文件：363.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB80N08S2L-07	文件：154.91 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB80N08S2L-07	文件：311.01 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB80N08S2L-07	文件：363.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB80N08S4-06	文件：233.75 Kbytes Page：9 Pages	N-channel - Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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80N08	文件：140.24 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL80V(D-S)MOSFET DESCRIPTION TheUTC80N08isanN-channelMOSFETusingUTCadvancedtechnology.Itcanbeusedinapplications,suchaspowersupply(secondarysynchronousrectification),industrialandprimaryswitchetc. FEATURES *TrenchFETPowerMOSFETSTechnology	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
80N08A	文件：279.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BR80N08	文件：942.08 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BR80N08	文件：2.24856 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
BR80N08A	文件：930.96 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRB80N08	文件：757.95 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
FIR80N08LG	文件：2.08975 Mbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR80N08PG	文件：3.47918 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR80N08RG	文件：3.56958 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FTK80N08	文件：630.48 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET(75V/80A,Rds=6.5m廓)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK80N08DD	文件：438.67 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELMOSFET(80V/80A,Rds=8m廓)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HRP80N08K	文件：2.12182 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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详细参数

型号：
IPB80N08
功能描述：
MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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