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IPD042P03L3G

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

文件:313.74 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD042P03L3G

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

文件:668.55 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD042P03L3G_14

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

文件:668.55 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD042P03L3G

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPD042P03L3GATMA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    -30 V

  • RDS (on) @10V max:

    4.2 mΩ

  • ID @25°C max:

    -70 A

  • QG typ @10V:

    131 nC

  • VGS(th) min:

    -2 V

  • VGS(th) max:

    -1 V

  • Technology:

    OptiMOS™ P3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-252-3
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24+
TO-252
5000
全现原装公司现货
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更多IPD042P03L3G供应商 更新时间2025-12-12 14:02:00