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IPD053N06N	文件：498.6 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTM Power-Transistor 文件：498.6 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD053N06N	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	New OptiMOS??40V and 60V 文件：1.02174 Mbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD053N06N	文件：336.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD053N06N3G	文件：312.25 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor 文件：312.25 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD053N06N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。 • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比，品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD053N06N供应商更新时间2026-4-17 9:58:00