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IPD053N06N

OptiMOSTM Power-Transistor

文件:498.6 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD053N06N

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.26 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD053N06N

New OptiMOS??40V and 60V

文件:1.02174 Mbytes 页数:2 Pages

Infineon

英飞凌

IPD053N06N3G

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

文件:312.25 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD053N06N

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外,这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。\n • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比,品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲\n;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPD053N06NATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO252-3

  • VDS max:

    60 V

  • RDS (on) @10V max:

    5.3 mΩ

  • ID @25°C max:

    45 A

  • QG typ @10V:

    27 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
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更多IPD053N06N供应商 更新时间2025-8-27 20:00:00