首页 >IPB80N08S2L-07>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IPB80N08S2L-07

OptiMOS짰 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPB80N08S2L-07

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPB80N08S2L-07

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IPP80N08S2L-07

OptiMOS짰Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPP80N08S2L-07

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPP80N08S2L-07

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SPB80N08S2L-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

SPB80N08S2L-07

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SPP80N08S2L-07

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

SPP80N08S2L-07

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

  • 型号:

    IPB80N08S2L-07

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS PWR TRANST 75V 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
2021+
SOT-263
17555
原装进口假一罚十
询价
INFINEON
21+
TO263
60000
原装正品进口现货
询价
NFINEON
22+
TO263-3
7530
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
询价
Infineon/英飞凌
22+
PG-TO263-3
11077
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单
询价
INFINEON/英飞凌
21+23+
TO-263
2787
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
询价
INFINEON TECHNOLOGIES
23+
3694
全新原装,有询必回
询价
Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
8498
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
INFINEON
2012+
TO-263
12000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
询价
INFINEON
2017+
TO-263
45288
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增
询价
INFINEO
2020+
TO-263
655
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
更多IPB80N08S2L-07供应商 更新时间2024-4-27 8:36:00