OptiMOS-T2 Power-Transistor

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Infineon

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n • AEC qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green Product (RoHS compliant)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 40V (on)\n • highest current capability\n • lowest switching and conduction power losses ;

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40 V、N沟道、4.2 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2

• N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n优势:\n• 40V 时， RDS (on)为世界极低值\n• 极高的冲击电流能力\n• 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率\n• 稳固的封装，出色的品质，高可靠性\n• 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级\n ;

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40 V、N沟道、最大4 mΩ、汽车MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2

• N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品（符合 RoHS）\n• 100% 经过雪崩测试\n\n优势:\n• 40V 时， RDS (on)为世界极低值\n• 极高的冲击电流能力\n• 极低的开关功耗和传导功率损耗，造就极高的热效率\n• 稳固的封装，出色的品质，高可靠性\n• 优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级\n \n  ;

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