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IPB80N04S4-04

40 V、N沟道、4.2 mΩ(最大值)、汽车MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T2

• N 通道 - 增强模式\n• AEC 认证\n• MSL1 峰值回流温度高达 260°C\n• 175°C 的工作温度\n• 环保产品(符合 RoHS)\n• 100% 经过雪崩测试\n\n优势:\n• 40V 时, RDS (on)为世界极低值\n• 极高的冲击电流能力\n• 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率\n• 稳固的封装,出色的品质,高可靠性\n• 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级\n ;

Infineon

英飞凌

IPB80N04S4-04

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:165.91 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPI80N04S4-04

OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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技术参数

  • OPN:

    IPB80N04S404ATMA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    D2PAK (PG-TO263-3)

  • VDS max:

    40 V

  • RDS (on) @10V max:

    4.2 mΩ

  • ID @25°C max:

    80 A

  • QG typ @10V:

    33 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • Technology:

    OptiMOS™-T2

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