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IPB80N04S2-04	文件：160.7 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：160.7 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S2-04	文件：383.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：383.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB80N04S2-H4	文件：160.65 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：160.65 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S2-H4	文件：207.25 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：207.25 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S2-H4_08	文件：207.25 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：207.25 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S2L-03	文件：154.67 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：154.67 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S2-H4	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n • Green product (RoHS compliant)\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 40V (on)\n • highest current capability\n • lowest ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S204ATMA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N04S2H4ATMA2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

RDS (on)(@4.5V LL) max：
4.5mΩ
QG(typical) ：
170.0nC
VDS max：
40.0V
ID max：
80.0A
RthJC max：
0.5K/W
Ptot max：
300.0W
IDpuls max：
320.0A
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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深圳市天卓伟业电子有限公司	IPB80N04S2L-03	英飞凌	24+		5000	全新、原装	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IPB80N04S2L-03	INFINEON	2012+	TO-263	12000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
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更多IPB80N04S2供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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