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IPB80N04S2-H4

OptiMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB80N04S2-H4

OptiMOS Power-Transistor

文件:207.25 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPB80N04S2-H4

20V-650V汽车级MOSFET

• N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n • Green product (RoHS compliant)\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 40V (on)\n • highest current capability\n • lowest ;

Infineon

英飞凌

IPB80N04S2-H4_08

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPB80N04S2H4ATMA2

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    D2PAK (PG-TO263-3)

  • VDS max:

    40 V

  • RDS (on) @10V max:

    3.7 mΩ

  • ID @25°C max:

    80 A

  • QG typ @10V:

    103 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2.1 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • Technology:

    OptiMOS™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPB80N04S2-H4供应商 更新时间2025-11-30 20:00:00