| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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INFINEONTO-263 |
80000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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9年
留言
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INFINEONTO-263 |
3334 |
只做原装,只有原装 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌原装 |
25607 |
26+ |
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INFINEON/英飞凌特价现货IPB80N04S2-H4即刻询购立享优惠#长期有订 |
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4年
留言
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infineonTO-263 |
602 |
25 |
绝对原装正品 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
12663 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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15年
留言
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INFINEONTO-263 |
150000 |
23+ |
只售原装 发票请咨询 库位:深圳 |
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14年
留言
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INFINEONTO-263 |
8113 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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8年
留言
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INFINEONTO-263 |
56300 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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5年
留言
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InfineonTO-263 |
6000 |
22+ |
原装优质现货订货渠道商 |
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9年
留言
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InfineonN/A |
1000 |
22+ |
只做原装,只有原装。 |
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15年
留言
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Infineon(英飞凌)PG-TO263-3 |
4918 |
2602+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-263 |
25000 |
25+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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6年
留言
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英飞凌 |
5000 |
24+ |
全新、原装 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20000 |
26+ |
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IPB80N04S2H4ATMA2价格
IPB80N04S2H4ATMA2价格:¥5.5301品牌:Infineon Technologies
生产厂家品牌为Infineon Technologies的IPB80N04S2H4ATMA2多少钱,想知道IPB80N04S2H4ATMA2价格是多少?参考价:¥5.5301。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IPB80N04S2H4ATMA2批发价格及采购报价,IPB80N04S2H4ATMA2销售排行榜及行情走势,IPB80N04S2H4ATMA2报价。
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IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4 TO-263 全新原装 N通道场效应管 大功率晶体管 300W 80A 40V
型号:IPB80N04S2-H4 制造商:Infineon 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG] 描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor 数据列表:IPx80N04S2-H4 标准包装:1,000 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单 系列:OptiMOS™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 漏极至源极电压(Vdss):40V 电
IPB80N04S2中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB80N04S204功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N04S2-04功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N04S204ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S2H4功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N04S2-H4功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N04S2-H4_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor
IPB80N04S2H4ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPB80N04S2L03功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N04S2L-03功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB80N04S2L03ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3




























