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IPB26CN10NG	文件：711.91 Kbytes Page：13 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr 文件：711.91 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB26CN10N	文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB26CN10N	文件：244.44 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPB26CN10N_10	文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB26CN10NG	文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB26CN10NG	文件：1.03806 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：1.03806 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB26CN10NG_13	文件：1.03806 Mbytes Page：12 Pages	N-channel, normal level 文件：1.03806 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB26CN10NGATMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
26 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 39µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
31nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2070pF @ 50V
功率耗散（最大值）：
71W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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更多IPB26CN10供应商更新时间2025-11-25 14:01:00

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