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IPB26CN10NGATMA1中文资料MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB26CN10NGATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：26 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 39µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：31nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：2070pF @ 50V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：71W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
21+ |
PG-TO263-3 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO263-3 |
90505 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK(TO-263AB) |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
IP |
23+ |
模块 |
120 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 |
