首页>IPB230N06L3GATMA1>规格书详情
IPB230N06L3GATMA1中文资料MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IPB230N06L3GATMA1
- 生产厂家
：Infineon
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：23 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.2V @ 11µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：10nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1600pF @ 30V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：36W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
19810 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO2637 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
INENOI |
21+ |
SOT263-7 |
12500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
TO220-3 |
17900 |
MOSFET管 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
TO-263-7 |
20500 |
汽车电子原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-7 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-7 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-7 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 |
